11月8日(火) 午前 / ライフホール
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(1) |
開会挨拶
中前幸治
ナノテスティング学会 会長
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9:20-9:30 |
Invited Talk I
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座長:寺田浩敏 |
(I1) |
ソニーのCMOSイメージセンサーの製造と未来
慶児幸秀
ソニーセミコンダクタマニファクチャリング
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9:30-10:30 |
《 10:30-10:50 オーサーズコーナー&休憩》 |
Metrology and Inspection
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座長:山崎裕一郎 |
(2) |
物理的な雑音特性が異なる画像の分類におけるドメイン適応
西原大地(a, 御堂義博(a, Y. Ng(b, 山根 統(b, 伊藤 剛(b, 藤原 剛(b, 塩見 準(a, 三浦典之(a
a)大阪大学 大学院情報科学研究科, b)キオクシア メモリ技術研究所
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10:50-11:15 |
(3) |
SEM を用いたトランジスタ閾値電圧インライン計測手法の開発
野島和弘(a, 鈴木雄策(a, 濱口 晶(a, 細川雅也(b, 窪 真志(b
a)キオクシア 先端メモリ開発センター, b)ウエスタンデジタル合同会社 Advanced Process & Device Development Group
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11:15-11:40 |
《 11:40-12:00 オーサーズコーナー&休憩》 |
《 12:00-13:30 昼食休憩》 |
11月8日(火) 午後 / ライフホール
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Tutorial I
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座長:後藤安則 |
(T1) |
半導体材料・デバイスの評価・解析のための走査型プローブ顕微鏡技術
長 康雄
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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13:30-14:30 |
《 14:30-14:50 オーサーズコーナー&休憩》 |
Power Device Analysis I
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座長:小山 徹 |
(4) |
GaNショットキーバリアダイオードにおける逆方向IV特性の不良解析
後藤安則, 渡邉健太, 長里喜隆, 藤原広和
ミライズテクノロジーズ
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14:50-15:15 |
(5) |
DPC/iDPC/dDPCによる半導体デバイス中のP/N接合可視化技術
中西伸登(a, 前田一史(b, 完山正林(a, 河野佳世子(a, 国宗依信(b
a)サーモフィッシャーサイエンティフィック ナノポート ジャパン, b)ルネサスエレクトロニクス 解析評価技術部
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15:15-15:40 |
《 15:40-16:00 オーサーズコーナー&休憩》 |
Power Device Analysis II
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座長:樋口裕久 |
(6) |
時間分解走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/SiCの局所容量-電圧特性のナノスケールゆらぎ解析
山末耕平(a, 長 康雄(b
a)東北大学 電気通信研究所, b)東北大学 未来科学技術共同研究センター
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16:00-16:25 |
(7) |
ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価
毎田 修, 市川修平, 小島一信
大阪大学 大学院工学研究科
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16:25-16:50 |
《 16:50-17:10 オーサーズコーナー&休憩》 |
11月9日(水) 午前 / ライフホール
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FIB & Application
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座長:小瀬洋一 |
(8) |
FIBのサンプリングにおけるアライメント方法の改良
金子 守
芝浦工業大学 SIT総合研究所、先端工学研究機構
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9:30-9:55 |
(9) |
PlasmaFIBによるデバイス活性層観察への検討
完山正林, 河野佳世子, 中西伸登
サーモフィッシャーサイエンティフィック ナノポートジャパン
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9:55-10:20 |
《 10:20-10:40 オーサーズコーナー&休憩》 |
Commercial Session
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座長:前田一史 |
(C1) |
テラヘルツ技術を用いたTDR (Time Domain Reflectometry) 解析受託サービスのご紹介
猪股一夫, 川原久輝, 津久井博之
ルネサス エンジニアリングサービス 評価解析部
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10:40-10:48 |
(C2) |
EMCの解析 (電磁波ノイズの3D解析)
村井英昭, 味岡恒夫
三協電精
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10:48-10:56 |
(C3) |
浜松ホトニクス エミッション顕微鏡 Xシリーズ紹介
藤原将伸, 片岡敦子, 工藤宏平, 鈴木伸介
浜松ホトニクス システム事業部 システム営業推進部 営業推進3G
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10:56-11:04 |
(C4) |
CAD-navigation system AZSA-HS
小西圭一
アストロン 営業Gr
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11:04-11:12 |
(C5) |
大量SEMデータ解析に向けた日立ハイテクの取り組み
高鉾良浩(a, 竹内秀一(a, 立花繁明(b
a)日立ハイテク CTシステム製品本部 CTソリューション開発部, b)日立ハイテク 解析システム営業本部 解析企画部
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11:12-11:20 |
(C6) |
8 inch waferも全面観察可能なFE-SEM JSM-IT800/
淺野奈津子, 岡野康之, 福田知久, 朝比奈俊輔
日本電子 EP事業ユニット
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11:20-11:28 |
(C7) |
セル内レイアウトからのスイッチング波形の導出
二階堂正人, 高橋利和, 澤村佳美, 平井一寛
TOOL EDA製品事業部
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11:28-11:36 |
(C8) |
Imina Technologies社のナノプロービングソリューション
仲山洋輔
アポロウエーブ 営業部
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11:36-11:44 |
(C9) |
Advanced electrical characterization and visualization of defects through nanoprobing and in situ conductive AFM
G. Johnson
Carl Zeiss Microscopy LLC Research Microscopy Solutions
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11:44-11:52 |
(C10) |
Centrios HX introduction
田中英夫(a, J. Miller(b, D. Pan(c
a)FEI Company Japan Ltd. Field Application, b)Thermo Fisher Scientific Analytical Instruments Materials and Structural Analysis, c)Applied Materials
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11:52-12:00 |
(C11) |
大容量加工を実現するLaser 加工搭載デュアルビームのご紹介
村田 薫
サーモフィッシャーサイエンティフィック エレクトロニクス部門 セールスデベロップメント
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12:00-12:08 |
(C12) |
元素識別機能搭載マイクロX線CTシステムのご紹介
兒玉 優, 大川登志郎, 鈴木直久
株式東陽テクニカ ライフサイエンス&マテリアルズ
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12:08-12:16 |
(C13) |
SIMSによるSiCパワーデバイスの高精度評価
堀祐太郎
東芝ナノアナリシス 物理解析技術センター
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12:16-12:24 |
《 12:24-13:30 昼食休憩》 |
11月9日(水) 午後 / ライフホール
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Special Invited Talk
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座長:長 康雄 |
(S1) |
Failure and materials analysis in the logic integrated circuit industry: Status and challenges
D. Su
TSMC Retired
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13:30-14:30 |
《 14:30-14:50 オーサーズコーナー&休憩》 |
Fault Localization
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座長:二川 清 |
(10) |
車載品質要求レベルに対応した高分解能低温不良解析技術
藤田任亨, 辻田順彦, 伊丹香祐, 石渕清久, 温水寛介, 河村俊夫
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング デバイス技術部門 解析技術部
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14:50-15:15 |
(11) |
TFI, LLSI, ESLITを用いた先端プロセスデバイスの故障箇所絞り込み技術の検討
松井 央, 和田慎一, 岡 保志
ルネサス エンジニアリングサービス 評価解析部
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15:15-15:40 |
《 15:40-16:00 オーサーズコーナー&休憩》 |
Invited Talk II
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座長:中前幸治 |
(I2) |
量子情報・量子生命が拓く未来〜今なぜ量子なのか〜
北川勝浩(a(b
a)大阪大学 基礎工学研究科, b)大阪大学 量子情報・量子生命研究センター
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16:00-17:00 |
《 17:00-17:20 オーサーズコーナー&休憩》 |
《 17:20-18:00 表彰式・写真・ネットワーキング》 |
Evening Session
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座長:寺田浩敏 |
会場:ライフホール |
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Evening Session
イブニングセッションでは、ナノテスティングに関する、世界での研究動向の報告と今後の展望について討論を行います。
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18:00-19:00 |
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故障解析関連国際動向 (二川 清)
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《 19:00 閉会》 |
11月10日(木) 午前 / ライフホール
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Tutorial II
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座長:寺田浩敏 |
(T2) |
故障解析関連国際シンポジウムの最近の動向
二川 清
デバイス評価技術研究所
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9:30-10:30 |
《 10:30-10:50 オーサーズコーナー&休憩》 |
Data Analysis
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座長:小瀬洋一 |
(12) |
複雑系データから複数支配方程式の抽出が可能なデータ駆動型探索法
御堂義博, 武本侑己, 塩見 準, 三浦典之
大阪大学 大学院情報科学研究科
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10:50-11:15 |
(13) |
深層学習を用いたLSM画像位置推定の高精度化検討
野村周司, 松井 央, 和田慎一, 岡 保志
ルネサス エンジニアリングサービス 評価解析部
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11:15-11:40 |
《 11:40-12:00 オーサーズコーナー&休憩》 |
《 12:00-13:30 昼食休憩》 |
11月10日(木) 午後 / ライフホール
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Physical Analysis I
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座長:姜 帥現 |
(14) |
マイクロフォーカスX線CTにより決定した半導体パッケージ内部箇所 のブロードArイオンビーム断面加工
中島雄平(a, 増子倫也(b, 朝比奈俊輔(a
a)日本電子 EP事業ユニット EPアプリケーション部, b)日本電子 SI営業本部 SOL推進部
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13:30-13:55 |
(15) |
二光子光電子分光によるGaAs (110) における表面再結合寿命の評価
市川修平, 毎田 修, 小島一信
大阪大学 大学院工学研究科
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13:55-14:20 |
《 14:20-14:40 オーサーズコーナー&休憩》 |
Physical Analysis II
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座長:小島一信 |
(16) |
低電子線照射STEM-EDSデータのばらつき改善技術
井手 隆, 高橋 亨, 島田康弘, 杉山 陽, 前田一史, 国宗依信
ルネサスエレクトロニクス 解析評価技術部
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14:40-15:05 |
(17) |
シリサイドプロセスを用いた半導体デバイスのウエットエッチングによる接合リークの解析手法
小松和広, 前田一史, 有馬高志
ルネサスエレクトロニクス 生産本部 デバイス開発統括部 解析評価技術部
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15:05-15:30 |
《 15:30-15:50 オーサーズコーナー&休憩》 |
Panel Discussion
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司会:辻田順彦(ソニーセミコンダクタマニファクチャリング) |
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デバイスの複雑化に対する深さ方向の絞り込み解析技術について
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15:50-16:50 |
(P1) |
ロックインサーモグラフィによる不良箇所の深さ推定手法
田中英夫
FEI Company Japan Ltd. Field Application
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(P2) |
TBD
茅根慎通
浜松ホトニクス システム事業部
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(P3) |
ナノ・プローバとFIB-SEMによる3D NANDの故障解析
伊井由花, 久保山拓之
日立ハイテク
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《 16:50-17:10 パネラーとのネットワーキング》 |
(18) |
閉会挨拶
中前幸治
ナノテスティング学会 会長
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