ナノテスティングシンポジウム

Annual Nano Testing Symposium

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NANOTS2018

講演プログラム

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表示項目: 和文題名、 和文著者、 和文所属、 英文題名、 英文著者、 英文所属 

11月19日(月) 午前 / KFCホール

Power Device Analysis I

座長:樋口裕久
(1)
高放射率被覆材の探索によるパワー半導体デバイスの発熱解析能力向上
茅根慎通; 松本 徹; 越川一成
浜松ホトニクス システム事業部システム設計部
9:30-9:55
(2)
SOBIRCHのパッケージ故障解析への適用
松本 徹(a; 江浦 茂(a; 伊藤能弘(a; 松井拓人(b; 穂積直裕(b
a)浜松ホトニクス システム事業部 システム設計部; b)豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
9:55-10:20
(3)
局所DLTS法によるSiO2/SiC界面欠陥の高分解能マッピング
山岸裕史; 長 康雄
東北大学 電気通信研究所
10:20-10:45
《 10:45-11:05 オーサーズコーナー&休憩》

Commercial Session

座長:小山 徹
(C1)
Teseda DFT解析システム
澤田和宏; 前川裕行; 穴山爲康
インフィナイト・ソリューションズ
11:05-11:12
(C2)
Navigation system AZSA
小西圭一
アストロン 商品企画開発グループ
11:12-11:19
(C3)
LAVIS-plusの連携機能
二階堂正人; 高橋利和; 澤村佳美; 平井一寛
TOOL EDA製品事業部
11:19-11:26
(C4)
新発熱解析装置 Thermal-F1 機能紹介
白井宏幸; 片岡敦子; 西澤賢一
浜松ホトニクス システム事業部 システム営業推進部
11:26-11:33
(C5)
脆性材料のレイヤー解析を可能にした精密研磨ソリューションの紹介
松林宏城
ビーエヌテクノロジー ナノテクソリューション事業部 精密研磨装置グループ
11:33-11:40
(C6)
解析ソリューションのご提案
植野崇之(a; 南部信夫(b
a)丸文 システム営業第2本部 営業第1部 産業機器課; b)丸文 デバイス営業第2本部 営業第2部 第1課
11:40-11:47
(C7)
最新のSEM/FIB DualBeam装置自動化アプリケーションのご紹介
宗田俊彦
サーモフィッシャー サイエンティフィック Materials & Structural Analysis
11:47-11:54
(C8)
7nmプロセスノード対応回路修正用FIB Taipan G2の紹介
茂木 忍
サーモフィッシャーサイエンティフィック 日本エフイー・アイ Materials & Structural Analysis
11:54-12:01
(C9)
新型FIB-SEM装置のご紹介
鈴木直久; 相蘇 亨
東陽テクニカ ナノイメージング&アナリシス
12:01-12:08
(C10)
高性能FIB-SEM複合装置「ETHOS NX5000」のご紹介
佐藤高広(a; 森川晃成(a; 佐藤俊輔(a; 神谷知里(a; 山本 洋(b; 鈴木浩之(b
a)日立ハイテクノロジーズ 科学システム製品本部; b)日立ハイテクサイエンス BT設計部
12:08-12:15
(C11)
STEM-NBDと歪み解析ソフトEpsilonのご紹介
中西伸登; 関口浩美; 宗兼正直
サーモフィッシャーサイエンティフィック ナノポートジャパン
12:15-12:22

Poster Short Presentation

座長:小山 徹
Poster Short Presentation
Poster Session発表者による1分概要説明を行います。発表一覧は、「Poster Session」をご参照ください。
12:22-12:30
《 12:30-12:40 写真》

Hitachi High-Technologies Luncheon Seminar

(L1)
日立ハイテクノロジーズが提案する半導体解析ソリューション
※要事前登録
12:40-13:40

11月19日(月) 午後 / KFCホール

Special Invited Talk

座長:茂木 忍
(S1)
特別招待講演: 超低消費電力データ収集システムの研究開発 (仮)
齋藤昇三
デバイス&システム・プラットフォーム開発センター
13:40-14:40
《 14:40-15:00 休憩・招待講演者との懇談》

Power Device Analysis II

座長:後藤安則
(4)
走査型容量原子間力顕微鏡によるパワー半導体デバイスのナノスケール評価
佐藤宣夫(a; 山本秀和(b
a)千葉工業大学 工学部 機械電子創成工学科; b)千葉工業大学 工学部 電気電子工学科
15:00-15:25
(5)
電圧印加EBICによる空乏層広がり状態の可視化技術検討
富澤友博; 岡崎隆行; 村田直文; 片山俊治; 国宗依信; 小山 徹; 井手 隆
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング 技術統括部 解析評価技術部
15:25-15:50
(6)
エッチピット法によるGaN単結晶の転位評価
姚 永昭(a; 石川由加里(a; 菅原義弘(b; 横江大作(b; 岡田成仁(c; 只友一行(c
a)ファインセラミックスセンター 材料技術研究所; b)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所; c)山口大学 大学院創成科学研究科
15:50-16:15
《 16:15-16:35 オーサーズコーナー&休憩》

Invited Talk

座長:樋口裕久
(I1)
招待講演: どの様な付加価値がパワーデバイスに期待されているか?
齋藤克明
日立パワーデバイス
16:35-17:35
《 17:35-18:30 招待講演者との懇談》

Poster Session

《 17:35-18:30 会場:KFCホールAnnex》
(7)
深層学習を用いた多能性幹細胞の透過光画像からの細胞核自動抽出
有田亘佑; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
(8)
細胞モニタリングのための定量位相顕微鏡像の位相アンラッピング
谷河 駿; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
(9)
Image quality enhancement of an SEM image using conditional generative adversarial networks
御堂義博; 中前幸治
Osaka Univ. Grad. Sch. Information Science and Technology
(10)
Arbiter PUF のNBTI/PBTI 経年劣化対策手法の比較検討
鈴木恒陽; 三浦克介; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
(11)
Effect of variance stabilization on denoising of low SNR fringe patterns using wavelet hidden markov models
御堂義博; 中前幸治
Osaka Univ. Grad. Sch. Information Science and Technology
(12)
走査型非線形誘電率顕微鏡のdC/dz法を用いた半導体デバイス測定
太田和男(a; 橋本庸幸(b
a)東芝情報システム LSIソリューション事業部; b)ジャパンセミコンダクター
(13)
∂C/∂z-SNDMによる半導体評価に関する数値シミュレーション
平永良臣; 長 康雄
東北大学 電気通信研究所
(14)
(講演取り下げ)
DCFIによる半導体非晶質層の高コントラスト化手法
中西伸登; 関口浩美; 完山正林
サーモフィッシャーサイエンティフィック ナノポートジャパン

Evening Session

会場:KFCホール
プログラム:
18:30-20:30

11月20日(火) 午前 / KFCホール

Invited Talk

座長:小山 徹
(I2)
招待講演: クラウド/IoTエッジソリューションを支える新しい国際システムデバイスロードマップについて
林 喜宏
SDRJ委員長 (ルネサスエレクトロニクス)
9:00-10:00
《 10:00-10:20 休憩・招待講演者との懇談》

Electron Optics & Application

座長:須賀三雄
(15)
走査電子顕微鏡像からの機械学習を用いたミトコンドリア領域抽出 (2)
足立健太; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
10:20-10:45

Panel Discussion

司会:飯田 晋 (東芝メモリ)
機械学習ーどこまでできて、なにができない(仮)
10:45-12:10
松縄哲明 (東芝メモリ)
大森健史 (日立製作所)
石井 信 (京都大学)
金澤裕治 (富士通研究所)
久保哲也 (東芝メモリ)
(P1)
機械学習を用いた計算機リソグラフィ 〜成功例と失敗例〜
松縄哲明
東芝メモリ
(P2)
機械学習とプラズマ工学を利用した微細加工形状の最適化
大森健史; 中田百科; 石川昌義; 小藤直行; 臼井建人; 栗原 優
日立製作所 研究開発グループ
(P3)
機械学習による三次元画像処理
石井 信
京都大学 大学院情報学研究科
(P4)
設計における人工知能技術の応用
金澤裕治
富士通研究所 人工知能研究所
(P5)
ビックデータの活用によるメモリ製造革新 ー半導体製造の歩留解析支援システムー
久保哲也
東芝メモリ デジタルプロセスイノベーションセンター
《 12:10-13:00 昼食休憩》

11月20日(火) 午後 / KFCホール

Invited Talk

座長:飯田 晋
(I3)
招待講演: アト秒電子線イメージング
森本裕也
ルートヴィヒ・マクシミリアン大学ミュンヘン
13:00-14:00
《 14:00-14:20 休憩・招待講演者との懇談》

Fault localization

座長:寺田浩敏
(16)
Open defect localization in 1x5 $\mu$m 3-D TSV structures by light-induced capacitance alteration (LICA)
K.J.P. Jacobs(a; J.D. Vos(a; M. Stucchi(a; I.D. Wolf(a; E. Beyne(a
a)IMEC Dept. 3D and Silicon Photonics Technologies; b)KU Leuven Dept. Materials Engineering
14:20-14:45
(17)
故障解析における残チップウェハテスティングの実現
神宮昭仁(a; 柳田博史(b; 岡西 忍(b; 田中 智(c; 小山 徹(a
a)ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング 技術統括部 解析評価技術部; b)ルネサスエレクトロニクス 生産本部 デバイス開発統括部 先端デバイス開発部; c)ルネサスエンジニアリングサービス 評価解析部
14:45-15:10
(18)
光加熱を併用した熱反射率光学プローブ法によるμmサイズのオープン不良検出
遠藤幸一(c; 泉谷敏英(a; 中村共則(b; 茅根慎通(b; 越川一成(b; 松本 徹(b; 中前幸治(c
a)東芝デバイス&ストレージ ディスクリート半導体信頼性技術部; b)浜松ホトニクス システム事業部 システム設計部; c)大阪大学 大学院情報科学研究科
15:10-15:35
《 15:35-15:55 オーサーズコーナー&休憩》

Fault localization/Physical analysis

座長:二川 清
(19)
Characterization of thermal defects using pulsed emission with DBX camera
M. Morag; N. Leslie
Thermo Fisher Scientific Analytical Instrument Group, Material & Structural Div., Electrical Fault Analysis
15:55-16:20
(20)
電源励振を用いたElectro Optical Frequency Mappingの技術検討
佐伯光章; 松本賢和; 岡 保志; 津久井博之
ルネサスエンジニアリングサービス 評価解析部
16:20-16:45
(21)
電圧印加型EBACを用いたショート不良解析の最適化評価
布施潤一(a; 砂押毅志(a; 金村 崇(a; 奈良安彦(b; 影山 晃(c; 水野貴之(d
a)日立ハイテクノロジーズ アプリケーション開発部; b)日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡第一設計部; c)日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡ソリューション設計部; d)日立ハイテクノロジーズ マーケティング部
16:45-17:10
(22)
環境制御型超高圧電子顕微鏡を用いたその場観察によるAl/Cu接合故障解析
八巻潤子(a; 為我井晴子(a; 前田 博(a; 津久井博之(a; 前田武彦(b; 五十嵐信行(c; 荒井重勇(c
a)ルネサスエンジニアリングサービス 評価解析技術部要素解析課; b)ルネサスセミコンダクターパッケージ&テストソリューションズ 技術統括部 要素技術開発部 開発要素技術課; c)名古屋大学 未来材料システム研究所
17:10-17:35
《 17:35-17:55 オーサーズコーナー&休憩》

11月20日(火) 午後 / KFCホール 2nd

Metrology and Inspection

座長:山崎裕一郎
(23)
SEM画像予測手法による試料内欠陥観察時の検出信号特性予測
横須賀俊之(a; 李 燦(a; 黒澤浩一(b; 川野 源(b; 数見秀之(b
a)日立製作所 研究開発グループ エネルギーイノベーションセンタ; b)日立ハイテクノロジーズ 評価研究開発部
14:20-14:45
(24)
高加速CD-SEMの後方散乱電子信号を用いた深穴の深さ計測技術
井田知宏(a; 濱口 晶(a; 鈴木雄策(a; 西畑貴博(b; 大崎真由香(b; 田中麻紀(b; 山本琢磨(c
a)東芝メモリ 先端メモリ開発センター; b)日立製作所; c)日立ハイテクノロジーズ
14:45-15:10
(25)
次世代欠陥検査装置のための検査標準試料の開発
飯田 晋; 内山貴之
ナノプロセス基盤開発センター (EIDEC) ナノ欠陥検査技術研究部
15:10-15:35
《 15:35-15:55 オーサーズコーナー&休憩》

Physical analysis II

座長:小瀬洋一
(26)
Non-destructive, high throughput ultrahigh sensitivity micro x-ray fluorescence techniques as an alternative to SIMS for dopant and composition analysis
D.B. Stripe; S. Lewis; D.W. Yun; S. Lau; X. Yang
Sigray, Inc.
15:55-16:20
(27)
走査型非線形誘電率顕微鏡による数層MoS2のキャリア分布観察における信号強度の改善
山末耕平; 長 康雄
東北大学 電気通信研究所
16:20-16:45
(28)
SNDMをベースとしたdC/dV (極性) およびdC/dz (濃度) の同時計測による2次元キャリア分布測定手法の開発
山岡武博(a; 渡辺和俊(b; 蓮村 聡(b; 廣瀬龍介(b; 上野利浩(b; 水口勝利(c
a)日立ハイテクノロジーズ アプリケーション開発部; b)日立ハイテクサイエンス 設計部; c)日立ハイテクノロジーズ マーケティング部
16:45-17:10
(29)
超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法による結晶シリコン太陽電池用 Al2O3パッシベーション膜の微視的評価
柿川賢斗(a; 山岸裕史(a; 棚橋克人(b; 高遠秀尚(b; 長 康雄(a
a)東北大学 電気通信研究所; b)産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所
17:10-17:35
《 17:35-17:55 オーサーズコーナー》