11月8日(水) 午前
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| 《 10:00-10:10 オープニング》 |
| 座長：中前幸治 |
Process Evaluation Techiques: Metrology and Inspection
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| 座長：山崎裕一郎 |
| (1) |
帯電解析のための汎用固体内電子散乱モデルの開発
李 燦(a; 横須賀俊之(a; 数見秀之(c
a)日立製作所 研究開発グループ 制御イノベーションセンタ; b)日立製作所 研究開発グループ 制御イノベーションセンタ; c)日立ハイテクノロジーズ 評価研究開発部
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10:10-10:35 |
| (2) |
モンテカルロシミュレーションによるコンタクトホール内のエッチング残渣検出評価
土肥歩未(a; 鈴木 誠(b; 蓮見和久(a
a)日立ハイテクノロジーズ 評価ソリューション開発部; b)日立ハイテクノロジーズ 評価研究開発部
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10:35-11:00 |
| (3) |
SEM画像の検査計測における機械学習活用の検討
今野有作(a; 廣瀬佑介(a; 濱口 晶(b; 井田知宏(b
a)東芝 生産技術センター; b)東芝メモリ 先端メモリ開発センター
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11:00-11:25 |
Poster Short Presentation
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| 座長：山崎裕一郎 |
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Postre Short Presentation
Poster Session発表者による1分概要説明を行います。発表一覧は、「Poster Session」をご参照ください。
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11:25-11:40 |
| 《 11:40-12:00 オーサーズコーナー》 |
| 《 12:00-13:00 昼食休憩》 |
11月8日(水) 午後
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Poster Session
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| 《 13:00-14:00 会場：6F千里ルーム》 |
| (4) |
走査電子顕微鏡像からの機械学習を用いたミトコンドリア領域抽出
足立健太; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (5) |
透過光画像からの幹細胞モニタリング手法の検討
有田亘佑; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (6) |
磁場顕微鏡を用いた非破壊でのパワーデバイスのショート箇所特定
西川記央; 堤 雅義; 山本幸三; 照井裕二
東芝ナノアナリシス 評価解析技術センター
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| (7) |
故障解析装置を用いた攻撃に対する耐攻撃設計AES暗号化回路の評価 (その2)
井野昂宜; 三浦克介; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (8) |
トランスミッションゲートにより構成されたArbiter PUF (Physical Unclonable Function) のNBTI/PBTI経年劣化対策
鈴木恒陽; 三浦克介; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (9) |
(口頭発表に変更。(26)の時間帯に発表されます)
確率的スピン論理p-bitsを用いた復元処理手法の検討
藤野宏章; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (10) |
LSI 故障解析装置を用いたPUF 回路に関する攻撃手法についての研究
世古充樹; 三浦克介; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (11) |
荷電粒子ビーム注入電流の自己整合機構に関する研究
國重友里; 内海元貴; 馬晶 鴻; 福原千葵; 益子洋治
大分大学 大学院工学研究科 電気電子工学コース
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| (12) |
(口頭発表に変更。(30)の時間帯に発表されます)
マルチフォーカスSTEM像のイメージフュージョンを用いたトモグラフィー再構成像の画質改善
赤堀 祐; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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Fault Localization
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| 座長：小山 徹 |
| (13) |
Magneto-Optical Frequency Mapping (MOFM) によるオープン故障箇所特定手法の検討
山崎誠一(a; 松本賢和(a; 和田慎一(a; 岡 保志(a; 中村共則(b; 松本 徹(b; 嶋瀬 朗(b
a)ルネサス エンジニアリングサービス 評価解析部 論理解析課; b)浜松ホトニクス システム事業部 第18部門
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14:00-14:25 |
| (14) |
超音波刺激抵抗変動検出法 (SOBIRCH) の故障解析への検討
松本 徹(a; 穂積直裕(b
a)浜松ホトニクス システム事業部 第18部門; b)豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
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14:25-14:50 |
| (15) |
高精度部分研磨装置を用いた半導体パッケージの故障解析手法
川口谷ひとみ
東芝メモリ メモリ信頼性技術部
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14:50-15:15 |
| 《 15:15-15:35 オーサーズコーナー&休憩》 |
Panel Discussion
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| 司会：二川 清 (金沢工業大学) |
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Current Visualization
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15:35-17:35 |
| ● |
松本賢和 (ルネサス エンジニアリングサービス)
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| ● |
中島 蕃 (デバイス・アナリシス)
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| ● |
松本 徹 (浜松ホトニクス)
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| ● |
金子佳由 (東陽テクニカ)
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| ● |
照井裕二 (東芝ナノアナリシス)
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| ● |
茂木 忍 (日本FEI)
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| ● |
二川 清 (金沢工業大学)
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| (P0) |
序論: パネルディスカッション『電流可視化』
二川 清
金沢工業大学 大学院工学研究科
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| (P1) |
ファラデー効果を応用したMagneto-Optical Frequency Mapping手法による電流経路可視化の検討
松本賢和
ルネサス エンジニアリングサービス
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| (P2) |
nT感度の高周波電流検出器
中島 蕃
デバイス・アナリシス
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| (P3) |
超音波刺激抵抗変動検出法: SOBIRCH
松本 徹
浜松ホトニクス システム事業部 第18部門
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| (P4) |
Current imaging using SQUID and GMR sensors for failure analysis
金子佳由(a; A. Orozco(b
a)東陽テクニカ メディカルシステム営業部 LCD Gr.; b)Neocera LLC
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| (P5) |
磁場分布測定による解析事例
照井裕二; 堤 雅義; 鈴木一博
東芝ナノアナリシス 評価解析技術センター
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| (P6) |
ショート不良個所絞り込み機能 EBIRCH
茂木 忍
日本エフイーアイ Materials & Structural Analysis
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| (P7) |
OBIRCHの概要
二川 清
金沢工業大学 大学院工学研究科
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11月9日(木) 午前
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Electron Optics & Applications
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| 座長：小瀬洋一 |
| (16) |
Denoising of noisy electron hologram by using a wavelet-based hidden markov model
Y. Midoh; K. Nakamae
Osaka Univ. Grad. Sch. Information Science and Technology
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9:00-9:25 |
| (17) |
Hole free phase plate imaging for electron tomography
M. Hayashida(a; M. Malac(a; N. Jehanathan(b; C. Pawlowicz(b; S. Motoki(c; M. Kawasaki(d; Y. Konyuba(c
a)National Research Council Canada NRC-Nano; b)TechInsights; c)JEOL; d)JEOL USA
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9:25-9:50 |
| (18) |
プラズモン損失信号を用いた透過電子顕微鏡の新可視化手法
井手 隆; 国宗依信; 小山裕輝; 加藤好美; 小山 徹
ルネサスセミコンダクターマニュファクチュアリング 技術統括部 解析評価技術部
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9:50-10:15 |
| 《 10:15-10:35 オーサーズコーナー&休憩》 |
Commercial Session
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| 座長：須賀三雄 |
| (C1) |
X線リフローシミュレータ (応用技術事例)
岡本慎太郎
エクスロン・インターナショナル 営業統括部 エレクトロニクスチーム
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10:35-10:42 |
| (C2) |
精密研磨装置Bniシリーズに対応した断面加工ユニットの紹介
松林宏城
ビーエヌテクノロジー ナノテクソリューション事業部 精密研磨装置グループ
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10:42-10:49 |
| (C3) |
大気圧プラズマICオープナー MP101の紹介
山市泰寿(a; 辻田洋一(a; 大田直人(b; 鈴木智史(c
a)日本サイエンティフィック 開発部; b)日本サイエンティフィック 代表取締役社長; c)日本サイエンティフィック 営業部
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10:49-10:56 |
| (C4) |
故障解析・観察装置向け 新CAD ナビゲーションステム 「AZSA (アズサ)」
小西圭一; 山本盛一; 中村 愛; 森 雄歩
アストロン 商品企画開発Gr
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10:56-11:03 |
| (C5) |
LAVIS-plusのアップデート 「等電位追跡」、「3次元表示」、「回路情報表示」
澤村佳美
TOOL EDA製品事業部
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11:03-11:10 |
| (C6) |
新EOプロービングユニット 新機能紹介
久米俊浩; 鈴木浩司; 鈴木伸介
浜松ホトニクス システム事業部 システム営業推進部
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11:10-11:17 |
| (C7) |
7nmプロセス対応ナノプロービングシステム nProber III の紹介
茂木 忍
日本エフイーアイ Materials & Structural Analysis
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11:17-11:24 |
| (C8) |
超高空間分解能FE-SEM: JSM-7900Fによる微小領域分析
山本康晶; 菊地真樹
日本電子 SM事業ユニット SMアプリケーション部
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11:24-11:31 |
| (C9) |
走査型プローブ顕微鏡を用いた最新半導体故障解析アプリケーションのご紹介
相蘇 亨
東陽テクニカ ナノイメージング&アナリシス
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11:31-11:38 |
| (C10) |
日本電子株式会社 受託分析のご紹介
久芳聡子(a; 鈴木敏之(b
a)日本電子 科学・計測機器営業本部; b)日本電子 フィールドソリューション事業部 サービス企画推進本部
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11:38-11:45 |
| (C11) |
解析ソリューションのご提案
南部信夫(b; 植野崇之(a
a)丸文 システム営業本部 営業第2部; b)丸文 デバイス営業第3本部 営業第2部
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11:45-11:52 |
| (C12) |
プラズマFIBを用いた半導体プロセス技術の開発および先端パッケージ分析のためのサンプル調製法
中村美樹(a; M. Surendra(b
a)サーモフィッシャーサイエンティフィックグループ 日本FEI 営業部; b)サーモフィッシャーサイエンティフィック プリダクトマーケティング
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11:52-11:59 |
| (C13) |
ナノビーム電子回折を用いた高性能・高分解能歪マッピング
X. Lin; M. Williamson
サーモフィッシャーサイエンティフィックグループ (日本FEI) プロダクトマーケティング
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11:59-12:06 |
| (C14) |
分析・観察試料作製をアシストする微粒子エッチング技術・PERETの紹介
松原 亨
パルメソ (ナノテクソリューションズ)
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12:06-12:13 |
| 《 12:13-12:15 写真》 |
| 《 12:15-13:15 昼食休憩》 |
11月9日(木) 午後
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Invited Talk
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| 座長：樋口裕久 |
| (I1) |
招待講演: SiC MOSデバイスにおける界面欠陥と信頼性
矢野裕司
筑波大学 大学院数理物質科学研究科
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13:15-14:15 |
| 《 14:15-14:35 休憩・招待講演者との懇談》 |
Power Device Analysis I
|
| 座長：後藤安則 |
| (19) |
ストリークカメラによるIGBTチップ全終端領域のアバランシェ発光観測
末代知子(a; 遠藤幸一(a; 小倉常雄(a; 松本 徹(b; 内山公朗(b; 新倉史智(b; 越川一成(b
a)東芝デバイス&ストレージ; b)浜松ホトニクス システム事業部
|
14:35-15:00 |
| (20) |
SiC MOSFETにおける故障箇所観察精度向上への取組み
垂水喜明(a; 迫 秀樹(a; 杉江隆一(b
a)東レリサーチセンター 形態科学研究部; b)東レリサーチセンター 構造化学研究部
|
15:00-15:25 |
| (21) |
SPMを用いたGaN-HEMT素子のデバイス構造解析
松村浩司; 迫 秀樹; 杉江隆一
東レリサーチセンター
|
15:25-15:50 |
| 《 15:50-16:10 オーサーズコーナー&休憩》 |
Power Device Analysis II
|
| 座長：茂木 忍 |
| (22) |
熱反射率光学プローブ法を用いた半導体デバイス上の熱伝搬観測
遠藤幸一(a; 中村共則(b; 松本 徹(b; 越川一成(b; 中前幸治(c
a)東芝デバイス&ストレージ ディスクリート半導体信頼性技術部; b)浜松ホトニクス システム事業部; c)大阪大学 大学院情報科学研究科
|
16:10-16:35 |
| (23) |
発熱箇所絞込み解析フロー
越川一成; 松本 徹; 中村共則
浜松ホトニクス システム設計部第18部門
|
16:35-17:00 |
| 《 17:00-17:20 オーサーズコーナー&休憩》 |
Special Invited Talk
|
| 座長：樋口裕久 |
| (S1) |
Special invited talk: Topics on power devices and their applications
L. Lorenz
Senior Principal Infineon Techn.(Technology Advisor), President of the Board of ECPE, IEEE Fellow
|
17:20-18:20 |
| 《 18:20-18:50 休憩》 |
Evening Session
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| 会場：千里阪急ホテル |
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プログラム：
|
18:50-20:50 |
| |
国際会議報告
|
| |
The 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs: ISPSD 2017 (東芝 遠藤幸一)
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The 61st International Conference on Electron, Ion, and Photon Beam Technology and Nanofabrication: EIPBN 2017 (大阪大学 三浦克介)
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| |
The 23rd IEEE International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design: IOLTS 2017 (大阪大学 三浦克介)
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The 43rd International Conference on Micro and NanoEngineering: MNE 2017 (大阪大学 御堂義博)
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11月10日(金) 午前
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Physical Analysis I
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| 座長：寺田浩敏 |
| (24) |
故障解析におけるX線照射が与える半導体デバイスへの影響
菅野和明(a; 遠藤幸一(b; 本郷智恵(b; 川井 望(c; 瀬戸屋孝(d
a)東芝デバイス&ストレージ ディスクリート半導体事業部 姫路半導体工場 品質保証部; b)東芝デバイス&ストレージ ディスクリート半導体事業部 ディスクリート半導体信頼性技術部; c)東芝デバイス&ストレージ ミックスドシグナルIC事業部 品質信頼性技術部; d)東芝デバイス&ストレージ 品質統括責任者
|
9:00-9:25 |
| (25) |
SEM/FIB オペレーション自動化ソフトウェア”iFast”及び自動in-situ リフトアウトプロセスの運用
宗田俊彦
日本エフイー・アイ セミコンダクタービジネスユニット
|
9:25-9:50 |
| (26) |
(講演取り下げ。代わりに講演(9)の発表を行います)
ウエハーレベルテスティングと不良解析技術の活用による技術開発加速への挑戦
渡辺雄一(a; G. Loechelt(b; P. Burke(c
a)オン・セミコンダクター コーポレートR&D ウエハープロセス開発 群馬; b)オン・セミコンダクター パワーソリューショングループ パワーMOSFETディビジョン; c)オン・セミコンダクター コーポレートR&D ウエハープロセス開発 グレシャム
|
|
| (9) |
確率的スピン論理p-bitsを用いた復元処理手法の検討
藤野宏章; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
|
9:50-10:15 |
| 《 10:15-10:35 オーサーズコーナー&休憩》 |
Physical Analysis II
|
| 座長：須賀三雄 |
| (27) |
局所DLTS法を用いたSiO2/SiC界面欠陥密度の定量イメージング
茅根慎通; 長 康雄
東北大学 電気通信研究所
|
10:35-11:00 |
| (28) |
高精度な欠陥分布評価のための局所DLTSの高度化
山岸裕史; 長 康雄
東北大学 電気通信研究所
|
11:00-11:25 |
| (29) |
Describing buried interface roughness by wavelet transforms
M. Malac(b; M. Hayashida(a; D. Homeniuk(a
a)Nanotechnology Research Centre National Research Council; b)Department of Physics University of Alberta
|
11:25-11:50 |
| 《 11:50-12:10 オーサーズコーナー》 |
| 《 12:10-13:10 昼食休憩》 |
11月10日(金) 午後
|
Invited Talk
|
| 座長：中前幸治 |
| (I2) |
Individual and group behavior in physics -ab initio calculation method in quantum few-body problem
肥山詠美子
九州大学, 理化学研究所
|
13:10-14:10 |
| 《 14:10-14:30 休憩・招待講演者との懇談》 |
Physical Analysis III
|
| 座長：二川 清 |
| (30) |
(講演取り下げ。代わりに講演(12)の発表を行います)
Zero defectのための継続的なGOI評価の重要性
渡辺雄一
オン・セミコンダクター Corporate R&D Wafer Process Development
|
|
| (12) |
マルチフォーカスSTEM像のイメージフュージョンを用いたトモグラフィー再構成像の画質改善
赤堀 祐; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
|
14:30-14:55 |
| (31) |
FE-SEM/EDSによる不純物濃度測定の検討
小入羽祐治; 作田裕介; 朝山匡一郎; 福永啓一; 須賀三雄; 西岡秀夫
日本電子
|
14:55-15:20 |
| (32) |
STEMの2次電子像を用いた2次元ドーパント分布の可視化
福永啓一; 遠藤徳明; 奥西栄治; 近藤行人
日本電子 EM事業ユニット
|
15:20-15:45 |
| 《 15:45-16:05 オーサーズコーナー&休憩》 |
Physical Analysis IV
|
| 座長：益子洋治 |
| (33) |
(講演取り下げ)
Quantitative doping concentration using scanning microwave impedance microscopy on a cross-section silicon power device
O. Amster; S. Friedman; Y. Yang; F. Stanke
PrimeNano, Inc. Advanced Testing Equipment and Systems
|
|
| (34) |
走査型マイクロ波顕微鏡によるキャリア濃度プロファイル定量化の検討
前田一史; 井手 隆; 岡崎隆行; 片山俊治; 有馬高志; 小山 徹
ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング 技術統括部 解析評価技術部
|
16:05-16:30 |
| (35) |
走査型非線形誘電率顕微鏡測定技術の故障解析への応用
太田和男(a; 椎木英雄(b; 橋本庸幸(b
a)東芝情報システム LSIソリューション技術部; b)ジャパンセミコンダクター
|
16:30-16:55 |
| 《 16:55-17:15 オーサーズコーナー》 |
![[NANOTS]](image/NANOTS2023.png "[NANOTS]")
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