11月9日(水) 午前
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| 《 9:15-9:20 オープニング》 |
Process Evaluation Techniques: Metrology and Inspection
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| 座長：山崎裕一郎 |
| (1) |
FIBとCD-SEMを用いた3Dデバイス形状の計測
川田洋揮(a; 井古田まさみ(a; 栄井英雄(b
a)日立ハイテクノロジーズ 電子設; b)日立ハイテクノロジーズ 開発2グループ
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9:20-9:45 |
| (2) |
卓上型放射光MIRRORCLEによるサブミクロンX線顕微CTの開発
尾崎健人; 前尾修司; 山田廣成
光子発生技術研究所 研究開発部
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9:45-10:10 |
| (3) |
X線斜めCT撮影の高解像度化
安達昭司
ユニハイトシステム 技術営業部
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10:10-10:35 |
| 《 10:35-10:55 オーサーズコーナー&休憩》 |
Tutorial: Trend in Electron Microscopy
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| 座長：小瀬洋一・須賀三雄 |
| (T1) |
チュートリアル: 3次元電子顕微鏡
須賀三雄
日本電子
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10:55-11:45 |
| (T2) |
チュートリアル: 超高分解能走査電子顕微鏡の開発とその機能拡大
佐藤 貢
日立ハイテクノロジーズ
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11:45-12:35 |
| 《 12:35-13:55 昼食休憩》 |
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11月9日(水) 午後
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Invited Talk
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| 座長：中前幸治 |
| (I1) |
電子線ホログラフィーによるナノ構造体の電磁場解析
村上恭和
九州大学 大学院工学研究院
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13:55-14:55 |
| 《 14:55-15:15 休憩・招待講演者との懇談》 |
Power Device Analysis I
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| 座長：後藤安則 |
| (4) |
高感度電子線ホログラフィーを用いたGaN/AlGaN界面における2次元電子ガス層の可視化
山本和生
ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所
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15:15-15:40 |
| (5) |
SiC/GaNパワー半導体応用における誤オンメカニズム解析
山本真義
島根大学 総合理工学部
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15:40-16:05 |
| (6) |
走査型非線形誘電率顕微鏡法による局所DLTS法の提案とSiO2/SiC界面欠陥の高空間分解能可視化技術への応用
茅根慎通(a; 小杉亮治(b; 田中保宣(b; 原田信介(b; 奥村 元(b; 長 康雄(a
a)東北大学 電気通信研究所; b)産業技術総合研究所
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16:05-16:30 |
| 《 16:30-16:50 オーサーズコーナー&休憩》 |
Power Device Analysis II
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| 座長：樋口裕久 |
| (7) |
SiC MOSFET負荷短絡時の素子破壊メカニズム解析
生井正輝; 安 俊傑; 岩室憲幸
筑波大学 大学院数理物質科学研究科
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16:50-17:15 |
| (8) |
超高圧電子顕微鏡を用いたパワーデバイスの不良解析技術
国宗依信(a; 加藤好美(a; 中嶋伸恵(a; 有江寛之(a; 村田直文(a; 片山俊治(a; 井手 隆(a; 小山 徹(a; 朝山匡一郎(b; 坂田孝夫(b; 安田英洋(b
a)ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング 解析評価技術部; b)大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター
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17:15-17:40 |
| (9) |
ストリークカメラによるIGBTのアバランシェ発光解析手法の開発
末代知子(a; 遠藤幸一(a; 小倉常雄(a; 松本 徹(b; 内山公朗(b; 新倉史智(b; 越川一成(b
a)東芝 ストレージ&デバイスソリューション社; b)浜松ホトニクス システム事業部
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17:40-18:05 |
| 《 18:05-18:25 オーサーズコーナー》 |
11月10日(木) 午前
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Electron Optics & Applications
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| 座長：小瀬洋一 |
| (10) |
Quasi-Besselビームと環状ピクセル検出器を用いた位相STEM法
川崎忠寛(a; 石田高史(b; 児玉哲司(c; 松谷貴臣(d; 丹司敬義(b; 生田 孝(e
a)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所; b)名古屋大学 未来材料システム研究所; c)名城大学 理工学部; d)近畿大学 理工学部; e)大阪電気通信大学 工学部
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9:00-9:25 |
| (11) |
大気圧下におけるバルク材料の走査電子顕微鏡観察技法
大南祐介(a; 久田明子(b; 中平健治(c; 中林 誠(a; 庄子美南(a; 吉原真衣(a; 伊東祐博(a
a)日立ハイテクノロジーズ 科学システム製品本部; b)日立製作所 研究開発グループ ヘルスケアイノベーションセンタ; c)日立製作所 研究開発グループ 生産技術研究センタ
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9:25-9:50 |
| (12) |
統計的ALCHEMI法によるZn添加Sr系W型フェライトにおけるZn置換サイト評価
阿南義弘(a; 小林義徳(b; 大塚真弘(c; 武藤俊介(d
a)日立製作所 基礎研究センタ; b)日立金属 磁性材料研究所; c)名古屋大学 工学研究科; d)名古屋大学 未来材料・システム研究所
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9:50-10:15 |
| 《 10:15-10:35 オーサーズコーナー&休憩》 |
Commercial Session
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| 座長：須賀三雄 |
| (C1) |
エクスロン X線CTテクノロジー アップデート
清宮直樹
エクスロン・インターナショナル 営業統括部
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10:35-10:43 |
| (C2) |
精密研磨装置Bniシリーズに対応したホルダーユニットの紹介
松林宏城
ビーエヌテクノロジー ナノテクソリューション事業部 精密研磨装置グループ
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10:43-10:51 |
| (C3) |
倒立型iPHEMOSシリーズ用レーザマーカシステムの紹介
久米俊浩; 鈴木浩司; 鈴木伸介
浜松ホトニクス システム営業推進部
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10:51-10:59 |
| (C4) |
Navi-gation system AZSA
小西圭一; 山本盛一; 中村 愛; 森 雄歩
アストロン 商品企画開発グループ
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10:59-11:07 |
| (C5) |
LAVIS-plusの新機能 「高速インタラクティブ等電位追跡」, 「スキャン・チェーン情報表示」, 「回路情報表示」
高橋利和
TOOL EDA製品事業部 技術部
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11:07-11:15 |
| (C6) |
(講演取り下げ)
DdProber自己検知型AFM式ナノプローブ
塩田 隆(a; 天野佳之(a; 中村靖宏(b; 笠原朋一(b
a)Wafer Integration; b)ヨコオ CTC事業部
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11:15-11:23 |
| (C7) |
nProberII 新オプション ショート不良個所絞り込み機能「EBIRCH」の紹介
茂木 忍
日本エフイー・アイ EFA事業部
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11:23-11:31 |
| (C8) |
超高分解能FE-SEM: JSM-7800F Primeによるバルク試料の低加速電圧分析事例
菊地真樹; 作田裕介
日本電子 SM事業ユニット
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11:31-11:39 |
| (C9) |
ZEISS製FIB-SEM Crossbeamシリーズによる最新アプリケーション紹介
相蘇 亨; 鈴木直久
東陽テクニカ ナノイメージング&アナリシス
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11:39-11:47 |
| (C10) |
故障解析におけるトータルソリューションの提案
南部信夫
丸文
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11:47-11:55 |
| (C11) |
SEM及びTEM試料作製用パルスレーザー加工装置の紹介
藤谷 洋
日本ローパー ガタン事業本部 (ナノテクソリューションズ)
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11:55-12:03 |
Poster Short Presentation
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| 座長：須賀三雄 |
| 《 12:03-12:20 Poster Short Presentation》 |
| 《 12:20-12:30 写真》 |
| 《 12:30-13:50 昼食休憩》 |
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11月10日(木) 午後
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Invited Talk
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| 座長：中前幸治 |
| (I2) |
グラフマイニングとIoT技術の動向と応用
鬼塚 真
大阪大学 大学院情報科学研究科
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13:50-14:50 |
| 《 14:50-15:10 休憩・招待講演者との懇談》 |
Poster Session
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| 座長：茂木 忍 |
| 《 15:10-16:10 会場：6F千里ルーム》 |
| (13) |
畳み込みニューラルネットワークを用いた単一SEM画像高画質化
三宅聡士; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (14) |
SEMシミュレーションとAI画像解析を用いた微細ラインパターン寸法計測の高精度化の検討
御堂義博(a; 飯田悠介(b; 濱口 晶(b; 井田知宏(b; 中前幸治(a
a)大阪大学 大学院情報科学研究科; b)東芝 ストレージ&デバイスソリューション社
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| (15) |
三次元電子顕微鏡像からの生体細胞構造認識のためのマルチクラス領域分割法の検討 (2)
堤 勇人; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (16) |
細胞培養時スクリーニングのためのコロニー輪郭自動抽出手法
有田亘佑; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (17) |
機械学習を用いた電子顕微鏡連続断面像からのミトコンドリア検出手法
足立健太; 御堂義博; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (18) |
熱反射率光学プローブ法を用いた半導体デバイスの熱挙動解析
遠藤幸一(a; 中村共則(b; 松本 徹(b; 越川一成(b; 中前幸治(c
a)東芝 ストレージ&デバイスソリューション社 ディスクリート半導体信頼性技術部; b)浜松ホトニクス システム事業部; c)大阪大学 大学院情報科学研究科
|
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| (19) |
配線ネット長分布を用いた テストカバレジ改善手法 (配線カバー率) の提案
塩沢健治(a; 永村美一(a; 小山 徹(a; 星 豊(b; 野村周司(b
a)ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング 技術統括部 解析評価技術部; b)ルネサスエンジニアリングサービス 評価解析部
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| (20) |
故障解析装置を用いた攻撃に対する耐攻撃設計AES暗号化回路の評価
井野昂宜; 三浦克介; 中前幸治
大阪大学 大阪大学大学院情報科学研究科
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| (21) |
閾値電圧ばらつきによるオフ電流発光変動考慮エミッション顕微鏡像シミュレーション
世古充樹; 三浦克介; 中前幸治
大阪大学 大学院情報科学研究科
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| (22) |
FIB (SIM) 式ナノプローブによる解析技術開発
杉浦直人; 北村裕一
パナソニック セミコンダクターソリューションズ 半導体ビジネスユニット グローバル品質保証センター
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| (23) |
Integrated sensor with nano-tesla sensitivity for non-invasively detecting fault positions on IGBT chips
N.N. Mai-Khanh(a; T. Iizuka(b; S. Nakajima(c; K. Asada(b
a)Univ. Tokyo VLSI Design and Education Center (VDEC); b)Univ. Tokyo Dept. of Electrical Engineering; c)Device Analysis Corp.
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| (24) |
荷電粒子ビームを用いた電流経路機構に関する研究
内海元貴; 馬 晶鴻; 藤村陽平; 國重友里; 益子洋治
大分大学 工学部 電気電子工学科
|
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| (25) |
3次元X線顕微鏡を用いた非破壊での元素識別の検討
堤 雅義; 鈴木一博; 照井裕二
東芝ナノアナリシス 評価解析技術センター
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|
Fault Localization I
|
| 座長：寺田浩敏 |
| (26) |
短周期テストパタンによるランダムロジック回路のElectro Optical Frequency Mapping解析手法
松井 央(a; 松本賢和(a; 野中淳平(b; 重田一樹(c; 岡 保志(a; 津久井博之(a
a)ルネサス エンジニアリングサービス 評価解析部; b)ルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリング 解析評価技術部; c)ルネサス システムデザイン テストインテグレーション部
|
16:10-16:35 |
| (27) |
Imaging non-periodic test signals with laser voltage tracing
C. Nemirow; N. Leslie
FEI Company Electrical Failure Analysis
|
16:35-17:00 |
| 《 17:00-17:20 オーサーズコーナー&休憩》 |
Special Invited Talk
|
| 座長：樋口裕久 |
| (S1) |
Failure mechanisms and identification of failure root causes in modern power semiconductor devices
G. Deboy
Infineon Technologies Austria AG Power Management & Multi-Market Senior Principal, Power Semiconductors and System Engineering
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17:20-18:20 |
| 《 18:20-18:50 休憩》 |
Evening Session
|
| 会場：千里阪急ホテル |
|
プログラム：
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18:50-20:50 |
| |
国際会議報告
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| |
The 28th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 (東芝 遠藤幸一)
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| |
The 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF 2016 (大分大学 益子洋二)
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11月11日(金) 午前
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Tutorial:
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| 座長：三好元介 |
| (T3) |
チュートリアル: 光学顕微鏡における超解像技術
寺田浩敏
浜松ホトニクス
|
9:00-9:50 |
| 《 9:50-10:10 休憩》 |
Fault Localization II
|
| 座長：二川 清 |
| (28) |
3D fault isolation on FBI modified multilayer structure device using 3D magnetic field imaging
A. Orozco(a; A. Jeffers(b; N. Gagliolo(a; F.C. Wellstood(b; A.B. Cawthorne(c
a)Neocera; b)Center for Nanophysics and Advanced Materials Dept. Physics; c)Trevecca Nazarene Univ. Dept. Science and Mathematics
|
10:10-10:35 |
| (29) |
532nm光源と差動検出系によるMOFM高感度化
中村共則; 越川一成; 大高章弘
浜松ホトニクス システム事業部第18部門
|
10:35-11:00 |
| (30) |
Magneto-Optical Frequency Mappingを用いた半導体デバイス故障箇所特定手法の検討
松本賢和(a; 松井 央(a; 岡 保志(a; 津久井博之(a; 中村共則(b; 越川一成(b; 松本 徹(b
a)ルネサス エンジニアリングサービス 評価解析部 論理解析課; b)浜松ホトニクス システム事業部 第18部門
|
11:00-11:25 |
| 《 11:25-11:45 オーサーズコーナー》 |
| 《 11:45-12:45 昼食休憩》 |
11月11日(金) 午後
|
Fault Localization III
|
| 座長：則松研二 |
| (31) |
超音波刺激によるパッケージ内配線の電流変動観察
松本 徹(a; 穂積直裕(b
a)浜松ホトニクス システム事業部 第18部門; b)豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
|
12:45-13:10 |
| (32) |
光サンプリング技術を用いたTime-Domain Reflectometryによる高密度ICパッケージの解析
前原泰秀(a; 松本賢和(a; 津久井博之(a; 鶴田浩巳(a; 橋本昌一(b; 入澤昭好(b; 今村元規(b
a)ルネサスエンジニアリングサービス 評価解析部; b)アドバンテスト テラヘルツシステム事業部
|
13:10-13:35 |
| (33) |
半導体デバイスに対するX線照射の影響と故障解析における考察
小川美由紀(a; 遠藤幸一(a; 本郷智恵(a; 川井 望(a; 松川尚弘(b; 瀬戸屋孝(a
a)東芝 ストレージ&デバイスソリューション社; b)東芝ビジネス&ライフサービス
|
13:35-14:00 |
| 《 14:00-14:20 オーサーズコーナー&休憩》 |
Physical Analysis I
|
| 座長：小山 徹 |
| (34) |
STEM-EBACシステムの開発と応用
鈴木裕也; 金村 崇; 松本弘昭; 田中弘之; 影山 晃; 長久保康平; 中村邦康; 水野貴之
日立ハイテクノロジーズ
|
14:20-14:45 |
| (35) |
電圧印加を用いたEBACによるショート不良箇所のピンポイント検出に関する報告
勝又啓行; 中里誠司; 和田慎一; 岡 保志; 鶴田浩巳
ルネサスエンジニアリングサービス 評価解析部 論理解析課
|
14:45-15:10 |
| (36) |
Increasing the automation footprint in the failure analysis lab
T. Templeton
FEI Company
|
15:10-15:35 |
| 《 15:35-15:55 オーサーズコーナー&休憩》 |
Physical Analysis II
|
| 座長：益子洋治 |
| (37) |
エネルギー分散型分光計による半導体ドーパント濃度の検出限界
福永啓一; 遠藤徳明; 朝山匡一郎; 近藤行人
日本電子 EM事業ユニット
|
15:55-16:20 |
| (38) |
走査型非線形誘電率顕微鏡法によるシリコン太陽電池のキャリア濃度の定量評価
廣瀬光太郎(a; 棚橋克人(b; 高遠秀尚(b; 長 康雄(a
a)東北大学 電気通信研究所; b)産業技術総合研究所 福島再生エネルギー研究所
|
16:20-16:45 |
| (39) |
Scanning microwave microscopy solutions for calibrated nanoscale semiconductor device characterization and quantitative materials properties
F. Kienberger
Keysight Technologies Keysight Labs Austria
|
16:45-17:10 |
| (40) |
Conductivity imaging of 2D materials and buried structures by scanning microwave microscopy
G. Gramse(a; F. Kienberger(b
a)Johannes Kepler Univ. Institute of Biophysics, Dept. Applied Experimental Biophysics; b)Keysight Technology Keysight Labs Austria
|
17:10-17:35 |
| 《 17:35-17:55 オーサーズコーナー》 |
![[NANOTS]](image/NANOTS2023.png "[NANOTS]")
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